ترانزیستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درین کم غلظت و ناخالصی دلتا گونه

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. اما افزایش بیش از حد x، مراکز dx را افزایش داده موجب کاهش جریان می شود. لذا برای اجتناب از افزابش مراکزdx ، باید به روش دیگری روی آورد. رویکرد جایگزین پیشنهاد شده در این مقاله استفاده از لایه های نا خالصی دلتا گونه (δ-doping) در فصل مشترک سورس - کانال است. این کار موجب افزایش ناپیوستگی در گاف نوار در فصل مشترک سورس - کانال می شود. افزایشδeg ، معادل افزایش درصد مولی al است. در این مقاله با شبیه سازی ساختار پیشنهادی با درصد مولی al کمتر از اندازه استفاده شده در ترانزیستور مرجع [1]، نشان می دهیم که متوسط سرعت الکترون، بدون در نظر گرفتن مراکزdx ، در دو ترانزیستور برابر است.